[发明专利]一种镁合金微弧氧化膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110034206.2 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102080248A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 楼白杨;曾志恒 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/30 | 分类号： | C25D11/30 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;王兵 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镁合金微弧氧化膜的制备方法：(1)镁合金经打磨、除油、干燥得到预处理的镁合金；(2)预处理过的镁合金作为电解槽阳极，不锈钢容器作为电解槽阴极，采用单向正脉冲电流对镁合金进行微弧氧化处理，电流密度恒定，电解槽中的电解液配比为：Na2SiO320～25g/L、NaOH 8～10g/L、NaF 5～7g/L、Na2EDTA 5～7g/L、甘油2～4mL/L，微弧氧化工艺参数为：电流密度20～50mA/cm2，占空比10～30％，频率为400～1000Hz，通电时间为10～40min；(3)将经过微弧氧化处理的镁合金清洗、干燥，镁合金表面制得镁合金微弧氧化膜。本发明中的电解液成分简单，不含有Cr6+，加入甘油作为抑弧剂，制得的膜层均匀致密，与基体结合力强，耐腐蚀性、耐磨性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁合金 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镁合金微弧氧化膜的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)镁合金经打磨、除油、干燥得到预处理的镁合金；(2)预处理过的镁合金作为电解槽阳极，不锈钢容器作为电解槽阴极，采用单向正脉冲电流对镁合金进行微弧氧化处理，电流密度恒定，电解槽中的电解液配比为：Na2SiO320～25g/L、NaOH 8～10g/L、NaF5～7g/L、Na2EDTA 5～7g/L、甘油2～4mL/L，微弧氧化工艺参数为：电流密度20～50mA/cm2，占空比10～30％，频率为400～1000HZ，通电时间为10～40min；(3)将经过微弧氧化处理的镁合金清洗、干燥，所述镁合金表面制得镁合金微弧氧化膜。
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