[发明专利]适用于纳米工艺的晶圆及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种适用于纳米工艺的晶圆及其制造方法，其包含一第一退火步骤、一第一沉积步骤、一注入步骤，及一第二退火步骤。该第一退火步骤是以高于650℃的温度对一晶圆进行退火处理以在该晶圆表面形成一高质量硅层。该第一沉积步骤是在退火后的晶圆的高质量硅层上以硅锗气体源沉积出一硅锗沉积层。该注入步骤是将氧离子注入该晶圆中。该第二退火步骤是以高于650℃的温度对注入氧离子的晶圆进行退火处理以形成一层氧化硅层，使得产制出的晶圆较容易控制各材料层均匀度、表面平坦度，以将质量不均匀、价格较低廉的晶圆制作成质量均匀的晶圆以利纳米工艺使用。

主权项

一种适用于纳米工艺的晶圆制造方法，包含一个第一退火步骤、一个第一沉积步骤、一个注入步骤，以及一个第二退火步骤，其特征在于：该第一退火步骤以高于650℃的温度对一个晶圆进行退火处理以在该晶圆表面形成一个高质量硅层；该第一沉积步骤以化学气相沉积法将含有硅、锗的硅锗气体源在该晶圆的高质量硅层上沉积出一个硅锗沉积层；该注入步骤将氧离子注入该晶圆中；该第二退火步骤以高于650℃的温度对注入氧离子的晶圆进行退火处理，以使该晶圆的高质量硅层转化为一层氧化硅层。