[发明专利]集成电路元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110034826.6 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102163596A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 胡宪斌;余振华;陈明发;林俊成;赖隽仁;林咏淇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48;H01L23/00;H01L21/98 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例提供一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路元件包括：一中介层，大抵不具有集成电路元件，其中该中介层包括：一基底，具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧；多个穿基底导电结构，位于该基底之中；一第一内连线结构，位于该基底的该第一侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；以及一第二内连线结构，位于该基底的该第二侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；一第一芯片，接合于该第一内连线结构之上；以及一第二芯片，接合于该第二内连线结构之上。本发明的实施例可避免可能造成的合格率损失。此外，流程时间可减少。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路元件，包括：一中介层，大抵不具有集成电路元件，其中该中介层包括：一基底，具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧；多个穿基底导电结构，位于该基底之中；一第一内连线结构，位于该基底的该第一侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；以及一第二内连线结构，位于该基底的该第二侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；一第一芯片，接合于该第一内连线结构之上；以及一第二芯片，接合于该第二内连线结构之上。
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