[发明专利]一种采用含铁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法无效

专利信息
申请号: 201110034850.X 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN102139877A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 陈建华 申请(专利权)人: 山东盛华光伏材料有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 277800 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种采用含铁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法,选择FeR(Fe2O3、Fe(OH)3、Fe3O4等)-SiO2-CaF2作为造渣剂的主要成分,并结合新的工艺流程,大大提高了渣金分配系数比,硼去除率达到95%以上,磷去除率高达90%以上。造渣完成后只再需进行定向凝固一道工序,便可将工业硅提纯成太阳能级多晶硅。该工艺最大的特点是成本低、易操作、能耗小,适合于工业化生产。
搜索关键词: 一种 采用 化合物 去除 工业 硅中硼磷 杂质 方法
【主权项】:
一种采用含铁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法,其特征在于采用以下工艺步骤:1)将造渣剂按一定比例配好后均匀混合;2)称量一定质量造渣剂放入预处理过的石墨坩埚中,打开中频熔炼开关,调节中频功率使渣料熔化;3)待渣料熔化后,加入一定质量的工业硅进行造渣精炼;全部熔化后,适当降低功率使得整个造渣过程中反应温度维持在1550‑1850℃;4)将通气棒缓缓插入熔液,开始通气搅拌,使得渣液和硅液能充分混合;5)熔炼完成后,停止通气,升离通气棒;缓缓转动石墨坩埚,将上层的硅液倒入静置的石墨模具中;6)继续加入工业硅,重复步骤4)‑5);7)造渣完成后,关闭中频电源;将渣料留在石墨坩埚中;冷却后取出硅锭,去除头尾杂质富集部分,通过ICP‑MS测量造渣后硼磷含量。
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