[发明专利]用于制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材、薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201110034875.X 申请日: 2011-01-28
公开(公告)号: CN102618836A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 赖志煌;陈家庠;陈奕璋 申请(专利权)人: 赖志煌
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06;H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0352
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人: 王昭林;崔华
地址: 中国台湾新竹市中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种用于制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材,其特征在于所述的靶材的结构为CuB1-xCxSeyS2-y,其中,B和C分别选自于IIIA族元素,x介于0~1,y介于0~2,此外,本发明还披露一种利用所述的靶材制作薄膜太阳能电池的方法,及由此方法制得的薄膜太阳能电池,特别的是,利用所述的靶材制作出的薄膜太阳能电池的薄膜化合物具有实质呈柱状的晶粒结构,并且,藉由调整制作方法中溅镀时的工作压力,可得到具有不同能隙的薄膜化合物。
搜索关键词: 用于 制作 薄膜 太阳能电池 化合物 制作方法
【主权项】:
一种靶材,用于以溅镀制程制作薄膜太阳能电池的化合物薄膜,其特征在于:所述的靶材的结构式是CuB1‑xCxSeyS2‑y,其中,B和C分别选自IIIA族元素,x介于0~1,y介于0~2。
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