[发明专利]相变存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201110034987.5 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102637820A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 任万春;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括基底和形成在基底上的隔离层，且所述隔离层内形成有第一电极层、在隔离层表面形成绝缘层，形成覆盖所述绝缘层的牺牲层，且所述牺牲层为硫族合金和绝缘材料的混合物、在所述牺牲层和所述绝缘层内形成沟槽，所述沟槽暴露出所述隔离层内的第一电极层表面、在所述沟槽内填充相变层、形成覆盖所述绝缘层和相变层的第二电极层。本发明中相变层材料在所述牺牲层上的附着力较强，从而解决了现有技术中相变材料的附着力不强所带来的容易剥落的问题，相变存储器的质量好，并且降低了成本，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括基底和形成在基底上的隔离层，且所述隔离层内形成有第一电极层；在所述隔离层表面形成绝缘层；其特征在于，还包括：形成覆盖所述绝缘层的牺牲层，且所述牺牲层为硫族合金和绝缘材料的混合物；在所述牺牲层和所述绝缘层内形成沟槽，所述沟槽暴露出所述隔离层内的第一电极层；在所述沟槽内填充相变层；形成覆盖所述绝缘层和相变层的第二电极层。
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