[发明专利]芯片电阻器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110035453.4 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102623115A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吴慎智;叶嘉雯;陈致龙 | 申请（专利权）人： | 国巨股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/18;H01C17/00;H01C17/02;H01C17/06;H01C17/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片电阻器及其制造方法，该制造方法包括：a)提供一基材及一电阻层；b)结合该电阻层至该基材；c)形成一第一金属层；d)形成多个贯孔；e)形成一连接金属层于这些贯孔内以电性连接该电阻层及该第一金属层；f)图案化该电阻层以形成多个第一电阻本体；g)形成多个第一保护层以保护这些第一电阻本体；及h)沿着多条切割线进行单体化制造方法以形成多个芯片电阻器。由此，不会发生对准问题，因而可提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片电阻器的制造方法，包括以下步骤：a)提供一基材及一电阻层，该基材具有一第一表面及一第二表面；b)结合该电阻层于该基材的第一表面；c)形成一第一金属层于该基材的第二表面；d)形成多个贯孔，以贯穿该第一金属层、该基材及该电阻层；e)形成一连接金属层于这些贯孔内，以电性连接该电阻层及该第一金属层；f)图案化该电阻层，以形成多个第一电阻本体；g)形成多个第一保护层以保护这些第一电阻本体；及h)沿着多条切割线进行单体化制造方法，以形成多个芯片电阻器，其中部分这些切割线经过这些贯孔。
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