[发明专利]半导体结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110035570.0 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637719A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王颢;克里斯;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 半导体结构及其制备方法，属于半导体器件领域，包括：具有第一半导体类型的半导体衬底；覆盖半导体衬底表面的外延层；位于外延层内的具有第二半导体类型的第一扩散区；在第一扩散区表面的氧化层，且其表面与外延层表面基本持平；位于外延层表面的多晶硅层，且覆盖部分氧化层表面、部分外延层表面及暴露出的所述第一扩散区表面；以及位于暴露出的氧化层表面、暴露出的外延层表面与多晶硅层表面的绝缘层。通过使用RESURF技术，在半导体结构中设置低掺杂的第一掺杂区，当PN结反偏时，RESURF技术使PN结能均匀承压。此外，较厚的氧化层也能有效提高PN结的击穿电压。同时，本发明中提出的半导体结构，结构简单，工艺简便。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有第一半导体类型掺杂；第一半导体类型掺杂的外延层，位于所述半导体衬底表面；其特征在于，还包括：第一扩散区，具有第二半导体类型掺杂，位于所述外延层内；氧化层，位于在所述第一扩散区内，且其表面与所述外延层表面基本持平；多晶硅层，覆盖部分所述氧化层表面、部分所述外延层表面及暴露出的所述第一扩散区表面；以及绝缘层，覆盖暴露出的所述氧化层表面、暴露出的所述外延层表面与所述多晶硅层表面。
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