[发明专利]栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件

摘要

本发明提供一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，所述元件包括一半导体基底；一高压N-型阱于该半导体基底中；一图案化的隔离区设置于该高压N-型阱上，定义一第一主动区及一第二主动区；一N-型双扩散区设置于该高压N-型阱的该第一主动区中；一P-型浓掺杂漏极区设置于该N-型双扩散区中；一P-型体掺杂区于该高压N-型阱的该第二主动区中，其中该N-型双扩散区和该P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出该高压N-型阱；一对相邻的一N-型和一P-型浓掺杂源极区设置于该P-型体掺杂区中；以及一栅极结构于该高压N-型阱上，其一端与该N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至该图案化的隔离区上。

主权项

一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件包括：一半导体基底；一高压N‑型阱于所述半导体基底中；一图案化的隔离区设置于所述高压N‑型阱上，定义一第一主动区及一第二主动区；一N‑型双扩散区设置于所述高压N‑型阱的所述第一主动区中；一P‑型浓掺杂漏极区设置于所述N‑型双扩散区中；一P‑型体掺杂区于所述高压N‑型阱的所述第二主动区中，其中所述N‑型双扩散区和所述P‑型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述高压N‑型阱；一对相邻的一N‑型和一P‑型浓掺杂源极区设置于所述P‑型体掺杂区中；以及一栅极结构于所述高压N‑型阱上，其一端与所述N‑型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至所述图案化的隔离区上。