[发明专利]制备沟槽底部辅助栅介质层以及沟槽DMOS管的方法无效
| 申请号： | 201110037089.5 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102623316A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 钱志浩;朱福生 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备沟槽底部辅助栅介质层以及沟槽DMOS管的方法，属于沟槽DMOSFET器件领域。该沟槽底部辅助栅介质层的制备方法包括以下步骤：(1)提供已形成所述沟槽的衬底，并氧化形成第一栅氧介质层；(2)在所述第一栅氧介质层上沉积形成辅助栅介质层；(3)涂覆光刻胶以覆盖所述辅助栅介质层；(4)控制干法刻蚀条件刻蚀所述光刻胶、以使仅在所述沟槽中残留一定厚度的光刻胶；(5)以所述残留的光刻胶为掩膜刻蚀所述辅助栅介质层；以及(6)去除沟槽中所残留的光刻胶。该沟槽DMOS管的制备方法包括以上所述的沟槽底部辅助栅介质层的制备方法过程。本发明具有工艺稳定、一致性好、成本低且生成效率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 沟槽 底部 辅助 介质 以及 dmos 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽DMOS管的沟槽底部辅助栅介质层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)提供已形成所述沟槽的衬底，并氧化形成第一栅氧介质层；(2)在所述第一栅氧介质层上沉积形成辅助栅介质层；(3)涂覆光刻胶以覆盖所述辅助栅介质层；(4)控制干法刻蚀条件刻蚀所述光刻胶、以使仅在所述沟槽中残留一定厚度的光刻胶；(5)以所述残留的光刻胶为掩膜刻蚀所述辅助栅介质层；以及(6)去除沟槽中所残留的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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