[发明专利]一种发光二极管芯片结构无效
| 申请号： | 201110037091.2 | 申请日： | 2011-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102637799A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张楠;齐胜利;潘尧波;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片结构，该结构的P型半导体层之上设有P型欧姆接触电极层；在所述P型欧姆接触电极层之上设有绝缘阻隔结构；在所述绝缘阻隔结构上设有P型透明导电层，所述P型透明导电层将所述绝缘阻隔结构包裹；其P电极与所述P型透明导电层接触。其中，所述绝缘阻隔结构包括多个柱状绝缘结构或者为设有多个通孔的绝缘层。本发明的发光二极管芯片结构通过改善电流的扩展，提高电流的注入效率，从而提高了LED的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片结构，包括：N型半导体层、位于所述N型半导体层之上的有源层、位于所述有源层之上的P型半导体层、与所述N型半导体层电连接的N电极以及与所述P型半导体层电连接的P电极，其特征在于：在所述P型半导体层之上设有P型欧姆接触电极层；在所述P型欧姆接触电极层之上设有绝缘阻隔结构；在所述绝缘阻隔结构上设有P型透明导电层，所述P型透明导电层将所述绝缘阻隔结构包裹；所述P电极与所述P型透明导电层接触。
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