[发明专利]二次电子装置及使用其的离子注入机有效
| 申请号： | 201110037107.X | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102623288A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 阳厚国;薛文卿 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二次电子装置，所述二次电子装置被用于中和离子注入过程中离子束所携带的正电荷。所述二次电子装置包括二次电子发射器、悬空挡板以及电压源，其中所述电子发射器和所述悬空挡板被布置使得所述离子束从所述电子发射器与所述悬空挡板之间通过到达接受离子注入的晶片，所述悬空挡板与离子束系统保持绝缘，并且其中所述电压源的负极连接至所述二次电子发射器，而所述电压源的正极连接至所述悬空挡板。使用本发明所提供的二次电子装置使二次电子更充分地穿越离子束，从而在离子注入过程中取得更好的中和效果，使得离子被更好地注入晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 二次电子 装置 使用 离子 注入 | ||
【主权项】：
一种二次电子装置，所述二次电子装置被用于中和离子注入过程中离子束所携带的正电荷，其特征在于，所述二次电子装置包括二次电子发射器、悬空挡板以及电压源，其中所述电子发射器和所述悬空挡板被布置使得所述离子束从所述电子发射器与所述悬空挡板之间通过到达接受离子注入的晶片，所述悬空挡板与离子束系统保持绝缘；并且其中所述电压源的负极连接至所述二次电子发射器，而所述电压源的正极连接至所述悬空挡板。
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