[发明专利]一种LED灯增透微纳结构制备方法无效
申请号: | 201110037160.X | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102169928A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 邓启凌;董小春;杜春雷;史立芳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/58;F21V5/04;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 卢纪;成金玉 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种LED灯增透微纳结构制备方法,其特征在于:该技术采用微纳结构代替传统的光学镀膜技术实现空气与介质表面的阻抗匹配,进而获得较高的光学透过率。本发明采用廉价、简单的方式实现了LED灯具的增透,且本发明发展的增透技术适用于从红外到紫外的各种波段,不需要针对光源进行膜系设计,避免了传统光学镀膜技术导致的昂贵的成本和复杂的工艺。通过本发明的LED等增透技术可以将由于反射导致的约5%的能量有效利用,提高了LED光的利用效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 灯增透微纳 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种LED灯增透微纳结构制备方法,其特征在于实现步骤如下:①采用旋转甩胶的办法在硅片表面旋涂光刻胶,并对光刻胶进行烘焙和冷却;②采用传统光刻工艺在旋涂有光刻胶的硅片表面加工亚微米甚至纳米尺度的光栅结构,形成携带有光栅结构的硅片;③沿垂直光栅方向,将携带有光栅结构的硅片进行断裂,形成剖面结构;④将断裂后的硅片剖面结构进行蒸镀金刚石膜;⑤在基底表面蒸镀或涂覆有机层,在有机层表面蒸镀金属层;⑥将已蒸镀金刚石膜后的硅片断面与基底表面的金属层成倾斜角度进行接触,并用力拖拽硅片,利用硅片断面处的微纳结构将基底表面的有机层和金属层刻划出需要的纳米结构;⑦将该微纳结构转移至LED模具表面;注塑完成后,携带有微纳结构的LED光束整形透镜即具有抗反射、增透的作用。
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