[发明专利]薄膜晶体管与其形成方法无效
| 申请号： | 201110037245.8 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102468340A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 林信宏;张荣芳;高克毅 | 申请（专利权）人： | 奇美电子股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜电晶体晶体管与其形成方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括栅极位于基板上。栅极介电层位于栅极与基板上，且源极/漏极位于栅极两侧的栅极介电层上。沟道层位于栅极中间部分的栅极介电层上，且沟道层接触源极/漏极。绝缘盖层覆盖沟道层，其中沟道层包括氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的形成方法，包括：形成一栅极于一基板上；形成一栅极介电层于该栅极与该基板上；形成一源极/漏极于该栅极两侧的该栅极介电层上；形成一氧化物半导体层于该源极/漏极与该栅极介电层上；形成一绝缘层于该氧化物半导体层上；以及图案化该绝缘层与该氧化物半导体层，形成一绝缘盖层覆盖一沟道层。
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