[发明专利]具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110037482.4 | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102169861A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 施旭强;李德章;谢孟伟 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括绝缘基板、被动组件结构层、电性触点及介电层。被动组件结构层形成于绝缘基板。电性触点形成于被动组件结构层。介电层覆盖电性触点的一部分，电性触点的另一部分从介电层的开孔露出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 被动 组件 结构 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有被动组件结构的半导体结构，包括：一绝缘基板；一被动组件结构层，形成于该绝缘基板；一第一电性触点，形成于该被动组件结构层；以及一第一介电层，覆盖该第一电性触点的一部分，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一电性触点的另一部分从该第一开孔露出。
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