[发明专利]半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110037676.4 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102347284A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 郑明达;何明哲;刘重希;黄见翎;林正忠;蔡惠榕;林正怡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。
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