[发明专利]超低压力降流动感测器无效
申请号: | 201110038560.2 | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN102128657A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | J·W·斯佩尔德里奇 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G01F5/00 | 分类号: | G01F5/00;G01F1/46;G01F1/684 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 崔幼平;谭祐祥 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种流体速度感测器包括用于检测流体流经由流动通道壁限制的低阻流动通道时的流体特性的感测器模片。一个或多个分接头被安置在面向流体流动的方向,流体流经由通道壁限制的流动通道,其中该分接头通向低阻力通道,该低阻力通道引导流体到达感测器模片。至少一个或多个其它的分接头被安置面向垂直于流体流动的方向,这样在流体流经感测器模片后可以继续在低阻力通道中流动直到到达其他垂直面向流体流动方向的分接头,以便测定基于不同压力之间的差别的速度压力。该流体速度感测器可以安置在单向或双向的流体流动结构中。 | ||
搜索关键词: | 压力 流动 感测器 | ||
【主权项】:
一种用于检测经过流体通路的流体流动的流体速度感测器,包括:延伸到流体通路中的壳体,该壳体限定内部流动通道;暴露于所述壳体的所述内部流动通道的MEMS流动感测器,该MEMS流动感测器被构造成检测流经壳体的所述内部流动通道的流体的流率;以及形成于所述壳体中并且暴露于流经流体通路的流体的至少一个上游分接头,其中所述至少一个上游分接头通向所述壳体中的所述内部流动通道,该内部流动通道将所述流体的流动引导到所述MEMS流动感测器,使得所述流体在经过所述MEMS流动感测器之后继续在低阻力路径上流动到达至少一个下游分接头,所述至少一个下游分接头在一个或多个所述上游分接头的下游形成于所述壳体中并且暴露于流经流体通路的流体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110038560.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。