[发明专利]用于凹陷的半导体基底的技术和配置无效
| 申请号： | 201110038808.5 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102169842A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L25/00;H01L23/00;H01L23/48;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;李峥宇 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及用于凹陷的半导体基底的技术和配置，具体地，提供了一种方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底具有(i)第一表面和(ii)与第一表面相反地布置的第二表面；在半导体基底的第一表面上形成电介质膜；在电介质膜上形成再分布层；将一个或多个裸片电耦合到再分布层；在半导体基底上形成模塑料；使半导体基底的第二表面凹陷；形成通过半导体基底的凹陷的第二表面的一个或多个沟道以暴露再分布层；以及在该一个或多个沟道中形成一个或多个封装互连结构，该一个或多个封装互连结构电耦合到再分布层，该一个或多个封装互连结构用以路由该一个或多个裸片的电信号。可以描述和/或要求保护其他实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 凹陷 半导体 基底 技术 配置 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有(i)第一表面和(ii)与所述第一表面相反地布置的第二表面；在所述半导体基底的所述第一表面上形成电介质膜；在所述电介质膜上形成再分布层；将一个或多个裸片电耦合到所述再分布层；在所述半导体基底上形成模塑料；使所述半导体基底的所述第二表面凹陷；形成通过所述半导体基底的凹陷的第二表面的一个或多个沟道以暴露所述再分布层；以及在所述一个或多个沟道中形成一个或多个封装互连结构，所述一个或多个封装互连结构被电耦合到所述再分布层，所述一个或多个封装互连结构用以路由所述一个或多个裸片的电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
