[发明专利]三维层叠半导体集成电路及其穿通硅通孔修复方法无效
| 申请号： | 201110039649.0 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102467964A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 崔珉硕;边相镇;丘泳埈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D层叠半导体集成电路，所述3D层叠半导体集成电路具有经由多个TSV而耦接的多个芯片。所述多个芯片中的第一芯片被配置为检测并修复所述多个TSV中的缺陷TSV，并将修复信息传送到除第一芯片外的其余芯片，而除第一芯片外的所述其余芯片被配置为响应于修复信息来修复所述缺陷TSV。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 层叠 半导体 集成电路 及其 穿通硅通孔 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种三维3D层叠半导体集成电路，所述3D层叠半导体集成电路具有经由多个穿通硅通孔TSV而耦接的多个芯片，其中，所述多个芯片中的第一芯片被配置为检测并修复所述多个TSV中的缺陷TSV，并将修复信息传送到除所述第一芯片外的其余芯片，并且除第一芯片外的所述其余芯片被配置为响应于所述修复信息来修复所述缺陷TSV。
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