[发明专利]半导体设备用高品质6061铝合金锻件制备方法

摘要

一种半导体设备用高品质6061铝合金锻件的制备方法，包括(1)普通半连续铸造方法制坯；(2)6061铝合金的均匀化热处理采用双级均匀化工艺。第一级温度范围540～570℃，保温时间选择12～24h；第二级温度范围在570～620℃，保温时间选择18～24h；(3)锻造工艺。压力机砧板预热温度300～350℃，采用多火次锻造时，锻造火次最多不超过3次，采用2-3火次锻造时每一火次的镦粗锻比控制在4～6，采用一火锻造时锻造比控制在7～9之间，终锻温度控制在320～360℃等；(4)固溶时效工艺。固溶温度为520～540℃，保温时间以45min为基础，锻件厚度每增加1mm，保温时间延长1min。时效温度为160～180℃，保温时间在16～25h之间。本发明提供了一种半导体设备用高品质6061铝合金锻件的制备方法，该方法具有可操作性强、成品率高、产品性能稳定、产品附加值高等优点，适合小批量供货生产，具有显著的经济效益。

主权项

半导体设备用高品质6061铝合金锻件制备方法，以6061铝合金为加工对象，采用半连铸工艺制坯，双级均匀化工艺热处理，在压力机上进行锻造，锻造采用少火次、大锻比、低终锻温度的成形工艺，最后进行高温短时固溶和低温长时时效的热处理，获得性能优良的半导体设备用高品质6061铝合金锻件，具体包括如下步骤：(1)半连铸工艺制取锻造铸坯；(2)采用双级均匀化制度对铸坯进行热处理退火；(3)在压力机上对热处理后的铸坯进行锻造成形为锻件；(4)对锻件进行固溶时效处理，是采用高温短时固溶和低温长时时效的热处理工艺，获得半导体设备用高品质6061铝合金锻件。