[发明专利]非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统有效
| 申请号： | 201110040220.3 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102163457A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫;韩真晚;金杜坤;许星会;尹钟仁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 以及 包括 存储系统 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的编程方法，该非易失性存储器件包括衬底和在与衬底交叉的方向上堆叠的多个存储单元，所述编程方法包括：向被选位线施加第一电压；向未选位线施加第二电压；向被选串选择线施加第三电压；向未选串选择线施加第四电压；以及向多个字线施加编程操作电压，其中，第一到第三电压是正电压。
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