[发明专利]基于一维纳米材料的光致场发射解调器有效
申请号: | 201110040680.6 | 申请日: | 2011-02-20 |
公开(公告)号: | CN102136521A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 汪小知;李鹏 | 申请(专利权)人: | 汪小知 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/0224;H04B10/158 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 410004 湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 基于一维纳米材料的光致场发射解调器,包括:门电极(2)、衬底(3)、空腔(4)、电子收集基板(6),还包括由一维纳米材料制作的阴极发射电极(1),在空腔(4)的壁上设置有空隙(5),空隙(5)为一个光学透明的窗口,激光可以以较少的损耗穿过空隙(5),到达阴极发射电极(1)的表面,同时空隙(5)需要保持空腔(4)内外的真空隔离。本发明的有益效果在于填补了光纤通信中高速光学解调器的空白,可以用在高清视频传输以及高通量数据传输,有线电视信号传输等领域。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 材料 光致场 发射 解调器 | ||
【主权项】:
基于一维纳米材料的光致场发射解调器,包括:门电极(2)、衬底(3)、空腔(4)、电子收集基板(6),其特征在于,还包括由一维纳米材料制作的阴极发射电极(1),在空腔(4)的壁上设置有空隙(5),空隙(5)为一个光学透明的窗口,激光可以以较少的损耗穿过空隙(5),到达阴极发射电极(1)的表面,同时空隙(5)需要保持空腔(4)内外的真空隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的