[发明专利]氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201110041101.X | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102136673A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件，包括：III-V族氮化物半导体层；设置在III-V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，包括：氮化物半导体层；设置在所述氮化物半导体层中的腔；与所述腔的端面接触的氮化物隔离层；以及与所述隔离层接触的端面涂覆膜；其中，所述端面涂敷膜是氧化物，在部分的所述隔离层中，形成有所述端面涂覆膜和所述隔离层互扩散的区域。
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