[发明专利]包含具有超级结的沟槽MOSFET的半导体器件有效
| 申请号： | 201110041239.X | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102163622A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 苏库·金 | 申请（专利权）人： | 仙童半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了将MOSFET架构与PN超级结结构相结合的半导体器件以及用于制造该器件的方法。所述MOSFET架构能够被利用包含栅极的沟槽结构制造，所述栅极被夹在顶部的厚绝缘层和沟槽底部之间。超级结结构的PN结被形成在沟槽侧壁中的n-型掺杂区域和p-型外延层之间。沟槽MOSFET的栅极被利用栅极绝缘层与超级结结构隔离。这些半导体器件相对于屏蔽沟槽MOSFET器件能够具有较低的电容和较高的击穿电压并且能够在中压到高压范围内替代这些器件。还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 超级 沟槽 mosfet 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：用第一传导性类型的掺杂剂重掺杂的半导体基材；基材上的外延层，所述外延层被以第二传导性类型的掺杂剂轻掺杂；形成在外延层中的沟槽，所述沟槽包含没有屏蔽电极的MOSFET结构并且还包含被用第一传导性类型的掺杂剂轻掺杂的侧壁；接触外延层的上表面和MOSFET结构的上表面的源极层；和接触基材底部的漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于仙童半导体公司，未经仙童半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110041239.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
