[发明专利]太阳能电池与其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110041337.3 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102646729A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 唐伟程;林景颖;杜庆豪;林纲正 申请(专利权)人: 茂迪股份有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露一种太阳能电池与其制造方法。此太阳能电池包含半导体基板、射极层、阳极处理氧化铝层与背面电极。在此太阳能电池的制造方法中,首先提供半导体基板。接着,形成射极层于半导体基板的第一表面上,以形成PN接面(PN Junction)。然后,形成阳极处理氧化铝(Anodic Aluminum Oxide;AAO)层于半导体基板的第二表面上,其中此第二表面与第一表面相对,而阳极处理氧化铝层具有多个纳米级孔洞。接着,形成背面电极于阳极处理氧化铝层上,其中背面电极的一部分是形成于纳米级孔洞中,以使背面电极与半导体基板电性连接。
搜索关键词: 太阳能电池 与其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包含:一半导体基板,具有相对的一第一表面和一第二表面;一射极层,形成于该第一表面上,以形成一PN接面;一阳极处理氧化铝层,形成于该第二表面上,其中该阳极处理氧化铝层具有数个纳米级孔洞;以及一背面电极,形成于该阳极处理氧化铝层上,其中该背面电极的一部分是形成于该些纳米级孔洞中,以使该背面电极与该半导体基板电性连接。
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