[发明专利]太阳能电池与其制造方法无效
申请号: | 201110041337.3 | 申请日: | 2011-02-16 |
公开(公告)号: | CN102646729A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 唐伟程;林景颖;杜庆豪;林纲正 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭露一种太阳能电池与其制造方法。此太阳能电池包含半导体基板、射极层、阳极处理氧化铝层与背面电极。在此太阳能电池的制造方法中,首先提供半导体基板。接着,形成射极层于半导体基板的第一表面上,以形成PN接面(PN Junction)。然后,形成阳极处理氧化铝(Anodic Aluminum Oxide;AAO)层于半导体基板的第二表面上,其中此第二表面与第一表面相对,而阳极处理氧化铝层具有多个纳米级孔洞。接着,形成背面电极于阳极处理氧化铝层上,其中背面电极的一部分是形成于纳米级孔洞中,以使背面电极与半导体基板电性连接。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 与其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包含:一半导体基板,具有相对的一第一表面和一第二表面;一射极层,形成于该第一表面上,以形成一PN接面;一阳极处理氧化铝层,形成于该第二表面上,其中该阳极处理氧化铝层具有数个纳米级孔洞;以及一背面电极,形成于该阳极处理氧化铝层上,其中该背面电极的一部分是形成于该些纳米级孔洞中,以使该背面电极与该半导体基板电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂迪股份有限公司,未经茂迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110041337.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于使卷筒纸印刷机停机的方法
- 下一篇:一种风力发电机组状态监测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的