[发明专利]三氯硅烷制造装置及制造方法有效

专利信息
申请号: 201110041339.2 申请日: 2011-02-17
公开(公告)号: CN102161489A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 村上直也;斎木涉 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱美红;杨楷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供能以较高的热效率将供给气体加热并能不损害热效率而实现装置的大型化、能大量生产的三氯硅烷制造装置。三氯硅烷制造装置(100)具备:反应容器(10),具备大致筒状的壁体(11)、将壁体的上端封闭的顶板(12)及将下端封闭的底板(13),通过设在壁体的下部的气体导入流路(11b)被供给包括四氯硅烷和氢的原料气体,生成包括三氯硅烷和氯化氢的反应气体;多个加热器(20),设在反应容器内,将原料气体加热;加热器具有被供电而发热的发热体(21)、和支承发热体的下端的承受台(22);在发热体上,沿着水平方向设有在其高度方向的中途位置且气体导入流路的上方配置的凸缘(23),在相邻的加热器间,形成有由凸缘缩窄的原料气体的流路(102)。
搜索关键词: 硅烷 制造 装置 方法
【主权项】:
一种三氯硅烷制造装置,是由包括四氯硅烷和氢的原料气体制造三氯硅烷的装置,其特征在于,具备:反应容器,具备大致筒状的壁体、将该壁体的上端封闭的顶板及将下端封闭的底板,由上述原料气体生成包括三氯硅烷和氯化氢的反应气体;多个加热器,设置在上述反应容器内,将上述原料气体加热;在上述壁体的下部,设有用于将上述原料气体供给到被上述壁体、顶板、及底板包围的反应室的气体导入流路;上述加热器具有沿上下方向延伸、被供电而发热的发热体、和固定在上述底板上、支承该发热体的下端的承受台;在上述发热体上,沿着水平方向设有在其高度方向的中途位置且上述气体导入流路的上方配置的凸缘,在相邻的上述加热器间,形成有由上述凸缘缩窄的上述原料气体的流路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社,未经三菱综合材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110041339.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top