[发明专利]用于制造NMOS半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201110041483.6 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102646636A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造NMOS半导体器件的方法，包括下列步骤：一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括核心NMOS器件和I/ONMOS器件；在核心NMOS器件和I/ONMOS器件上形成氧化层和应力层；在核心NMOS器件上形成掩膜层，并去除I/ONMOS器件上的应力层；去除核心NMOS器件上的掩膜层，并对核心NMOS器件进行退火；去除核心NMOS器件上的应力层；以及去除核心NMOS器件和I/ONMOS器件上的氧化层。根据本发明的方法，能够防止在制造NMOS器件时降低I/ONMOS器件热载流子注入的可靠性，从而达到半导体器件的寿命标准，并提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 nmos 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括核心NMOS器件和I/O NMOS器件； 在核心NMOS器件和I/O NMOS器件上形成氧化层和应力层；在核心NMOS器件上形成掩膜层，并去除I/O NMOS器件上的应力层； 去除核心NMOS器件上的掩膜层，并对核心NMOS器件进行退火；去除核心NMOS器件上的应力层；以及去除核心NMOS器件和I/O NMOS器件上的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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