[发明专利]双面钝化高效硅太阳电池及工艺流程无效
申请号: | 201110041660.0 | 申请日: | 2011-02-21 |
公开(公告)号: | CN102136518A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 周之斌;周金莲;童朝俊;张晖嘉;方超;张磊;杨健;马德忠;马玉锋;郭明星;陈珂;汪甡杰 | 申请(专利权)人: | 芜湖明远新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 241002 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面钝化的高效太阳电池和工艺方案,主要是由太阳电池的硅片经过制绒清洗、扩散工艺、刻蚀工艺,去磷硅玻璃,制作减反膜,丝网印刷电极、然后烧结的工艺后成为太阳电池,在制作迎光面减反射膜后,增加了一道硅片背面制作氧化铝薄膜钝化层的工序,本发明可以显著提高太阳电池的光电转换效率,成本略有提高,但收益要远远高于投入。 | ||
搜索关键词: | 双面 钝化 高效 太阳电池 工艺流程 | ||
【主权项】:
一种双面钝化高效硅太阳电池,包括有太阳电池硅片、正面电极和背面电极,其特征在于:所述的太阳电池硅片的迎光面设有减反射薄层,背面沉积有氧化铝钝化层,氧化铝钝化层上沉积有铝薄膜,所述的正面电极和背面电极分别设置于太阳电池硅的迎光面与背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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