[发明专利]一种降低石墨烯薄膜方阻的方法无效
| 申请号： | 201110041766.0 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102180463A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈远富;王泽高;李萍剑;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;H01B1/04;H01B13/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，包括如下步骤：将石墨烯薄膜及基片浸泡于具有给予电子或给予空穴能力的溶液中一定时间。上述步骤中溶液为具有给予电子能力的低价位的重金属无机类酸、有机醇类和有机胺类溶液或前述溶液的混合液。上述步骤中溶液为具有给予空穴能力的非金属无机酸类、有机烷类的溶液或前述溶液的混合液。本发明的有益效果是：将位于基片上的石墨烯薄膜浸泡于具有给予电子能力的溶液中后，该溶液夺取了石墨烯薄膜中的空穴，使得石墨烯薄膜中的电子浓度增大，从而使得石墨烯薄膜的方阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，包括如下步骤：将石墨烯薄膜及基片浸泡于具有给予电子或给予空穴能力的溶液中一定时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110041766.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：PLL装置
- 下一篇：无源宽带时钟输入转换方法及电路
