[发明专利]一种存储装置及其制作方法无效
申请号: | 201110042416.6 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102290428A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 龙翔澜;赖二琨;林仲汉;马修·J·布雷杜斯克 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储装置及其制作方法。该存储装置包含多条位线及一纵向晶体管阵列排列于该多条位线之上。多条自动对准的薄膜侧壁字线沿着该纵向晶体管阵列的列方向排列,其包含以字线材料形成的薄膜侧壁字线,且排列成使得薄膜侧壁在列(X轴)方向合并作为字线,但是不会在行(Y轴)方向合并。在纵向晶体管是场效应晶体管的实施例中,此薄膜侧壁字线提供“环绕栅极”结构。存储元件与纵向晶体管电性连通。本发明公开的存储装置的结构可以使用完全自动对准工艺形成,其中字线及存储元件与纵向晶体管自动对准而不需要额外的图案化步骤。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种存储装置,其特征在于,包含:多条位线;一纵向晶体管阵列排列于该多条位线之上,该阵列中的每一纵向晶体管具有一第一终端与该多条位线之一接触或位于其中、一通道或基底在该第一终端之上,及一第二终端在该通道或基底之上;多条自动对准的字线在该阵列中沿着该纵向晶体管的列方向排列;以及存储元件与该阵列中个别纵向晶体管的该第二终端电性连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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