[发明专利]表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201110042987.X | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102129989A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 林加斌;许资彬 | 申请（专利权）人： | 强茂电子(无锡)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片的制造方法，包含以下步骤：第一步，N型半导体材料掺杂形成基板；第二步，限流层以间隔方式形成在该基板表面，相邻限流层的间形成间隙；第三步，磊晶半导体层填满各限流层之间的间隙且覆盖于部分限流层的表面，该磊晶层之间形成有沟槽，各沟槽向下延伸至未被磊晶层覆盖的限流层的顶部；第四步，介电层覆盖于磊晶半导体层的表面；第五步，金属层延伸覆盖于介电层表面，且填充于沟槽内部，于沟槽内部的该金属层与磊晶半导体层侧壁的间形成肖特基接触。在此静电场作用下发生电场屏蔽效应，进而降低逆向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 电场 屏蔽 式肖特基 二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤： 第一步、N型半导体掺杂形成基板； 第二步、限流层以间隔方式形成在该基板表面，相邻限流层的间形成间隙； 第三步、磊晶半导体层填满各限流层之间的间隙且覆盖于部分限流层的表面，该磊晶层之间形成有沟槽，各沟槽向下延伸至未被磊晶层覆盖的限流层的顶部； 第四步、介电层覆盖于磊晶半导体层的表面；第五步、金属层延伸覆盖于介电层表面，且填充于沟槽内部，于沟槽内部的该金属层与磊晶半导体层侧壁的间形成肖特基接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于强茂电子(无锡)有限公司，未经强茂电子(无锡)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110042987.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带围挡外科病人大小便用医疗康复多用途电动推车
- 下一篇：电液锤专用液气缸
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
