[发明专利]用于超级结器件的拐角布局

摘要

一种超级结器件以及超级结器件的布局设计和制备方法，可以配置有源单元立柱结构的布局，使第一导电类型掺杂物的电荷，与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局，使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷，与掺杂层在终止立柱结构与末端之间的那部分中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。

主权项

一种用于设计超级结器件布局的方法，其特征在于，该方法包括：步骤a：确定形成在超级结器件的掺杂层中，有源单元区的有源单元立柱结构中每单位面积上，以及形成在掺杂层中有源单元区周围的终止区的终止立柱结构中的每单位面积上，第一类型掺杂物的植入剂量Qimp，其中所述的掺杂层具有厚度t以及与第一导电类型掺杂物的电荷类型相反的第二导电类型的掺杂物的掺杂密度M；步骤b：设计有源单元立柱结构的布局，使第一导电类型掺杂物的电荷，与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡；并且步骤c：设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局，使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷，与超级结器件的拐角区域中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。