[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 201110043080.5 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102097160A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 梨木智刚;菅原英男 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B15/08;G06F3/041 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种透明导电性薄膜的制造方法，其中透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由至少一层底涂层地具有透明导电体层，并且所述透明导电体层被图案化，且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层的透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜的制造方法的特征在于，在透明的薄膜基材的单面或两面上，形成至少一层底涂层的工序；在所述底涂层上利用溅射法形成透明导电体层的工序；将所述透明导电体层蚀刻并图案化的工序；以及将已被图案化的所述透明导电体层退火处理并使其结晶化的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜的制造方法，其中透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由至少一层底涂层地具有透明导电体层，并且所述透明导电体层被图案化，且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层的透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜的制造方法的特征在于，在透明的薄膜基材的单面或两面上，形成至少一层底涂层的工序；在所述底涂层上利用溅射法形成透明导电体层的工序；将所述透明导电体层蚀刻并图案化的工序；以及将已被图案化的所述透明导电体层退火处理并使其结晶化的工序。
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