[发明专利]具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201110043160.0 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102646751A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;岳会会;刘新宇;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，包括：A、对p型太阳能电池硅片进行磷扩散；B、化学腐蚀方法制备纳米柱；C、表面清洗，去除残余物；D、对硅片扩散面再次进行磷扩散；E、对硅片进行SiNx:Hx:H表面钝化和减反薄膜沉积，制备电池负电极、正电极和Al背场，完成具有超低纳米减反结构的准黑硅高效太阳能电池的制备。利用本发明制备的太阳能电池，能与现有工艺结合，不增加设备成本。相比传统的太阳能电池，本方法制得的太阳能电池提高了效率。此外，本方法制备工艺简单，具有较好的工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 准黑硅 高效 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、对p型太阳能电池硅片进行磷扩散；B、化学腐蚀方法制备纳米柱；C、表面清洗，去除残余物；D、对硅片扩散面再次进行磷扩散；E、对硅片进行SiNx:Hx:H表面钝化和减反薄膜沉积，制备电池负电极、正电极和Al背场，完成具有超低纳米减反结构的准黑硅高效太阳能电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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