[发明专利]紫外激光干涉灼蚀有机半导体激光器直写方法有效
| 申请号： | 201110043161.5 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102649196A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张新平;翟天瑞 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B23K26/067 | 分类号： | B23K26/067;B23K26/36;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了紫外激光干涉灼蚀有机半导体激光器直写方法，属于纳米光电子材料及器件技术领域，包括以下步骤：1)制备荧光发射有机半导体材料有机溶液；2)将荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上，获得厚度均匀的有机半导体薄膜，薄膜的厚度为50-500nm；3)将强紫外激光干涉图案与有机半导体薄膜作用，使得干涉亮条纹区的有机半导体薄膜在瞬间被灼蚀掉，而留下未曝光区。本发明成本低廉，可制备大面积一维、二维有机半导体激光器，重复性好，制备效率高，周期可控。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 激光 干涉 有机半导体 激光器 方法 | ||
【主权项】：
紫外激光干涉灼蚀有机半导体激光器直写方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将荧光发射有机半导体材料溶解于有机溶剂中，制成浓度为10‑60mg/ml的有机半导体溶液；2)将荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上，旋涂速度为500‑4000rpm，获得厚度均匀的有机半导体薄膜，薄膜的厚度为50‑500nm；3)将强紫外激光干涉图案与有机半导体薄膜作用，使得干涉亮条纹区的有机半导体薄膜在瞬间被灼蚀掉，而留下未曝光区，形成高质量的有机半导体光栅结构。
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