[发明专利]半导体器件和使用相同载体在WLCSP中形成TMV和TSV的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和使用相同载体在WLCSP中形成TMV和TSV的方法。一种半导体器件具有安装在载体上的半导体管芯。密封剂沉积在半导体管芯和载体上。绝缘层形成在半导体管芯和密封剂上。在半导体管芯安装到载体时多个第一通路被形成为通过绝缘层和半导体管芯。在半导体管芯安装到载体时多个第二通路被形成为在与第一通路相同的方向上通过绝缘层和密封剂。在第一通路中沉积导电材料以形成导电TSV并且在第二通路中沉积导电材料以形成导电TMV。第一互连结构形成在绝缘层上并电连接到TSV和TMV。除去载体。第二互连结构形成在半导体管芯和密封剂上并电连接到TSV和TMV。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供临时载体；在临时载体上安装半导体管芯；在半导体管芯和临时载体上沉积密封剂；在半导体管芯和密封剂上形成第一绝缘层；在半导体管芯安装到临时载体上时形成通过第一绝缘层和半导体管芯的多个第一通路；在半导体管芯安装到临时载体上时形成通过第一绝缘层和密封剂的多个第二通路；在第一通路中沉积导电材料以形成导电直通硅通路（TSV）；在第二通路中沉积导电材料以形成导电直通铸模通路（TMV）；在第一绝缘层上形成第一互连结构并且电连接到导电TSV和导电TMV；除去临时载体；以及在半导体管芯和密封剂上与第一互连结构相对地形成第二互连结构并且电连接到导电TSV和导电TMV。