[发明专利]一种硅纳米线-导电高分子复合物及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201110043347.0 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102249238A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张晓宏;杨添;王辉;欧雪梅;李述汤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C25B3/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米线-导电高分子PEDOT的复合物及其制备方法与应用。该方法包括下述步骤：1)将通过金属纳米颗粒催化辅助刻蚀法得到的硅纳米线阵列结构表面用HF溶液处理，得到处理后的硅纳米线阵列结构；2)采用循环伏安法，使高分子单体EDOT在所述硅纳米线阵列表面进行电化学聚合反应，得到硅纳米线-导电高分子复合物。该方法反应条件温和，简单易行，可有效控制硅纳米线表面功能高分子的厚度、能带结构及导电性能，是一种有效的构建硅纳米线-导电高分子功能化合物的复合结构的方法。通过对所得到的复合结构在光催化制氢领域的应用进行研究，结果显示该结构具有高效的催化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 导电 高分子 复合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备硅纳米线 导电高分子复合物的方法，包括下述步骤：1)将具有硅纳米线阵列的硅片用HF溶液处理，得到处理后的具有硅纳米线阵列的硅片；2)采用循环伏安法，使高分子单体3，4 乙撑二氧噻吩在所述硅纳米线阵列表面进行电化学聚合反应，得到所述硅纳米线 导电高分子复合物。
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