[发明专利]一种摆率控制驱动电路有效
申请号: | 201110043370.X | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102186130B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 冯之因;王传芳;陈军君 | 申请(专利权)人: | 启攀微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201103 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种摆率控制驱动电路,该驱动电路通过设置开关电流源控制电路,产生稳定的输出电流对输出功率管的栅极寄生电容进行充放电,从而控制其开启/关闭,利用电流而非电平驱动输出功率管,使得输出信号的摆率受电流控制,从而达到减小EMI影响的目的;设置死区时序控制电路,利用输出功率管的栅极信号控制电流源的开启/关闭,将输出级PMOS/NMOS同时导通的时间最小化,从而有效地减小功率管间的馈通电流。本发明提供的驱动电路可以达到改善EMI,减小馈通电流和电源波动的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种摆率控制驱动电路,其特征在于,包括:输入级脉冲宽度调制电路;两组输出级功率管,分别对应该输入级脉冲宽度调制电路输出端的正相端信号和反相端信号,每组输出级功率管各包含一PMOS管和一NMOS功率管;两栅极驱动电路,分别设置在所述输入级脉冲宽度调制电路的两输出端与对应的输出级功率管之间,该栅极驱动电路进一步包括:一用以对所述PMOS管进行控制驱动的PMOS驱动电路和用来对所述NMOS管进行控制驱动的NMOS驱动电路;两死区时序控制电路,用于防止电源馈通现象;同时,所述输出级功率管的PMOS管输出信号和NMOS功率管输出信号,分别被反馈至所述PMOS驱动电路和所述NMOS驱动电路,当输出信号超过设定范围后减少控制电流,进而改善电源波动;所述PMOS驱动电路和NMOS驱动电路各包含两组开关电流源,用以产生稳定的输出电流对输出功率管的栅极寄生电容进行充/放电,从而控制其开启/关闭;所述死区时序控制电路是施密特触发器通过一与门与所述开关电源的开关的栅极连接。
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