[发明专利]新型图形衬底的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110043633.7 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102142494A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 易贤;王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武;周瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 新型图形衬底的发光二极管及其制备方法，包括依次设有的衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层，所述N型半导体层上设有N电极，所述P型半导体层上设有P电极，其特征在于：所述发光二极管的衬底为复合图形衬底，复合图形衬底有多个由圆台上表面挖空一个倒圆锥构成的复合图形体。它具有降低外延生长缺陷和增加光散射几率，增强轴向光出光效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 图形 衬底 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
新型图形衬底的发光二极管，包括依次设有的衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层，所述N型半导体层上设有N电极，所述P型半导体层上设有P电极，其特征在于：所述发光二极管的衬底为复合图形衬底，复合图形衬底有多个由圆台上表面挖空一个倒圆锥构成的复合图形体。
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