[发明专利]钍射气室及其使用方法有效
申请号: | 201110044971.2 | 申请日: | 2011-02-24 |
公开(公告)号: | CN102176049A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 唐方东;卓维海;何林锋;赵超 | 申请(专利权)人: | 上海市计量测试技术研究院 |
主分类号: | G01T7/00 | 分类号: | G01T7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 公开了一种钍射气室(100)及其使用方法,所述钍射气室(100)包括:有效体积为0.25-0.35m3的长方体保温密闭箱体(10);在所述长方体密闭箱体(10)内的一层或多层可上下调节的网格支架(20);置于所述网格支架(20)上的含232Th放射源的220Rn发生装置(30),以及置于所述长方体密闭箱体(10)内所述可上下调节的网格支架(20)上方的强制气体扩散装置(40)。 | ||
搜索关键词: | 钍射气室 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种钍射气室(100),它包括:有效体积为0.25‑0.35m3的长方体保温密闭箱体(10);在所述长方体保温密闭箱体(10)内的一层或多层可上下调节的网格支架(20);置于所述网格支架(20)上的含232Th放射源的220Rn发生装置(30),以及置于所述长方体保温密闭箱体(10)内所述可上下调节的网格支架(20)上方的强制气体扩散装置(40)。
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