[发明专利]一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法无效
| 申请号： | 201110045408.7 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102167977A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨琴;唐政;孙放 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/89 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，具体步骤为在可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液中加入稳定剂后调节pH值至碱性，然后，在惰性气氛下，通入硒化氢气体，反应至所述溶液呈浅黄色透明，制得前躯体溶液；其中，可溶性镉盐、可溶性锌盐或可溶性汞盐与稳定剂的摩尔比为1：3-1：2。将前躯体溶液进行高温高压快速生长，制得所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点。本发明制备方法操作简单，成本低，毒性小，所制备的Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点可直接用于生物荧光标识、临床诊断等实验。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水溶性 硒化物 半导体 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅱ‑Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：a).配制前躯体溶液：在可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液中加入稳定剂后调节PH值至碱性，然后，在惰性气氛下，通入硒化氢气体，反应至所述溶液呈浅黄色透明，即制得所述前躯体溶液；其中，所述可溶性镉盐、可溶性锌盐或可溶性汞盐与所述稳定剂的摩尔比为1：3‑1：2； b).量子点的生长：将所述前躯体溶液进行高温高压快速生长，制得所述Ⅱ‑Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点。
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