[发明专利]双重图形化的纳米压印模具及其形成方法有效
| 申请号： | 201110045414.2 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102650822A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B29C59/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双重图形化的纳米压印模具的形成方法，包括：提供基底、第一图案层、第二图案层；在所述第二图案层表面形成图形化的第一牺牲层，所述图形化的第一牺牲层定义出第一凸台图形；以图形化的第一牺牲层为掩膜刻蚀第二图案层，暴露出所述第一图案层，去除第一牺牲层；形成覆盖所述第一图案层和第二图案层的第二牺牲层；在所述第二牺牲层表面形成图形化的第三牺牲层，所述图形化的第三牺牲层定义出第二凸台图形；以图形化的第三牺牲层为掩膜刻蚀第二牺牲层和第一图案层，暴露出所述基底；去除图形化的第三牺牲层和第二牺牲层，形成所述第一凸台和第二凸台。本发明的实施例解决了现有技术中纳米压印模具单一，多样图形的形成工艺复杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 图形 纳米 压印 模具 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种双重图形化的纳米压印模具的形成方法，包括：提供基底、覆盖所述基底的第一图案层、以及覆盖所述第一图案层的第二图案层；在所述第二图案层表面形成图形化的第一牺牲层，所述图形化的第一牺牲层定义出第一凸台图形；以图形化的第一牺牲层为掩膜刻蚀第二图案层，暴露出所述第一图案层，并去除第一牺牲层；形成覆盖所述第一图案层和第二图案层的第二牺牲层；在所述第二牺牲层表面形成图形化的第三牺牲层，所述图形化的第三牺牲层定义出第二凸台图形；以图形化的第三牺牲层为掩膜刻蚀第二牺牲层和第一图案层，暴露出所述基底；去除图形化的第三牺牲层和第二牺牲层，形成第一凸台和第二凸台。
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