[发明专利]测试发光二极管晶粒的方法无效
| 申请号： | 201110045544.6 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102183718A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 郑勖廷;曾一士;王遵义 | 申请（专利权）人： | 致茂电子(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/44;G01R19/00;G01M11/02 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人： | 孙刚 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种测试发光二极管晶粒的方法，利用量测该发光二极管晶粒与邻近的发光二极管晶粒的电性差异，再根据邻近的发光二极管晶粒的光学数值来估算该发光二极管晶粒的光学数值。可以有效提升测试发光二极管晶粒的效率。该方法包含量测第一发光二极管晶粒的光学数值，分别量测该第一发光二极管晶粒与一第二发光二极管晶粒的电性以计算出一内阻差值，以及根据该内阻差值及该第一发光二极管晶粒的光学数值估算出第二发光二极管晶粒的光学数值。该方法还可以根据一预设电流建立电压值与波长的关系函数，利用该预设电流驱动待测发光二极管晶粒，量测该晶粒的电压值并根据该电压值与波长的关系函数估算该待测晶粒所产生的光线的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 发光二极管 晶粒 方法 | ||
【主权项】：
一种测试发光二极管晶粒的方法，其特征在于，包含：量测一第一发光二极管晶粒所产生的光线，并记录一第一光学数值；量测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出一第一内阻值；量测一第二发光二极管晶粒的电性，以计算出一第二内阻值；比较该第一内阻值与该第二内阻值，以计算出一内阻差值；以及根据该内阻差值以及该第一光学数值计算出一第二光学数值，并记录该第二光学数值作为该第二发光二极管晶粒所产生的光线的光学数值。
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