[发明专利]一种四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法无效
| 申请号： | 201110046093.8 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102153153A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 董昭;魏芹芹;许应瑛;邓斯天;张雄健;傅云义;张酣 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y40/00;B01J23/75;B01J35/10 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高密度四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法包括：在氩气气氛中，将钴片放置于加热容器中进行热处理，所述氩气气氛，是指用纯度为99.9％的纯氩气，以20ml/min的速率通入预先不抽真空的反应容器中，该气氛同时需要通过加热水来补充进入气路的水蒸气，加热水温为30～90℃，从而得到四氧化三钴纳米杆状结构。本发明所得到的密集分布的四氧化三钴纳米杆状物，长度大约为1μm左右，直径在100nm左右，多呈竹叶型，这种的形貌具有比表面积大的优点，在催化应用中，能吸附更多的气体，从而提高催化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 杆状 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法，包括如下具体步骤：在氩气气氛中，将钴片放置于加热容器中进行热处理，所述氩气气氛，是指在制备过程中用纯度为99.9％的纯氩气，以20ml/min的速率通入预先不抽真空的反应容器中，在该气氛中，含有通过加热水而补充入气路的水蒸气，加热水温为30～90℃，从而得到四氧化三钴纳米杆状结构。
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