[发明专利]一种Ω形鳍片的制备方法有效
| 申请号： | 201110046371.X | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102651305A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周华杰;徐秋霞;宋毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种Ω形鳍片的制备方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；在所述鳍片的侧壁形成侧墙；进一步刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的下方和凹槽的底部形成隔离介质层。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。本发明在体硅衬底上制备Ω形鳍片，采用传统的基于准平面的自顶向下工艺，实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形鳍片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ω形鳍片的制备方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；在所述鳍片的侧壁形成侧墙；进一步刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的下方和凹槽的底部形成隔离介质层，其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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