[发明专利]复相结构锆酸钡质子导体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110047077.0 申请日: 2011-02-28
公开(公告)号: CN102180667A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 郭瑞松;任建勋 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于复相结构锆酸钡质子导体材料及其制备方法。将BaCO3∶ZrO2∶Sc2O3为1∶1∶0.05~0.30摩尔配料,以水为介质球磨混合,然后煅烧得到Sc2O3掺杂的BaZrO3基体材料;外加1~10%摩尔的ZnO,球磨混合过筛后,再以基体材料为基准,加入5~50%摩尔CaF2或BaF2或NaF,研磨至混合物到均匀;将混合料装入模具进行干压成型,再经过200~350MPa等静压;在1200~1500℃在空气气氛中烧结,然后自然冷却至室温,制得复相结构锆酸钡质子导体材料。本发明提出对锆酸钡质子导体同时进行复相结构和掺杂改性的新思路,通过微观结构设计和控制,解决晶界对于材料电导率的制约,预期使材料电导率达到10-2S/cm以上,为开发氢气和水蒸气传感器、氢泵和浓差电池电解质材料奠定了基础。
搜索关键词: 结构 锆酸钡 质子 导体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种复相结构锆酸钡质子导体,其特征是组成和摩尔含量如下:以5~30%摩尔Sc2O3掺杂的BaZrO3为基体,然后外加1~10%摩尔ZnO和5~50%摩尔CaF2或BaF2或NaF;其中ZnO为烧结助剂,氟化物为具有质子导电性的无机盐,均匀分布在晶界处。
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