[发明专利]基于钛酸锶/P型硅异质结的电致发光器件及制备方法无效
申请号: | 201110047668.8 | 申请日: | 2011-02-28 |
公开(公告)号: | CN102157655A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 马向阳 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L33/26 | 分类号: | H01L33/26;H01L33/00 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 马士林 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于钛酸锶/P型硅异质结的电致发光器件及制备方法,该器件包括衬底,衬底正面沉积有发光层和电极层,衬底背面沉积有欧姆接触电极,所述的衬底为P型硅片,所述的发光层为SrTiO3膜。本发明的电致发光器件在一定的正向偏压(即正面透明导电膜接负电压,而硅片背面欧姆电极接正电压)下会发光,发光波长覆盖近紫外和可见光区。 | ||
搜索关键词: | 基于 钛酸锶 型硅异质结 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于SrTiO3/p‑Si异质结的电致发光器件,包括衬底,衬底正面沉积有发光层和电极层,衬底背面沉积有欧姆接触电极,其特征在于,所述的衬底为P型硅片,所述的发光层为SrTiO3膜。
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