[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

公开了一种高生产率地制造具有高电特性的薄膜晶体管的方法。在用于形成双栅薄膜晶体管的沟道区的方法中，其中该双栅薄膜晶体管包括第一栅电极和面向第一栅电极的第二栅电极且沟道区设置在其间，第一微晶半导体膜在用于形成用非晶半导体填充晶粒间空隙的微晶半导体膜的第一条件下形成，而第二微晶半导体膜在用于促进晶体生长的第二条件下在第一微晶半导体膜之上形成。

主权项

一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极；在所述衬底和所述栅电极上形成栅绝缘膜；在第一条件下在所述栅绝缘膜之上形成第一微晶半导体膜；在第二条件下在所述第一微晶半导体膜之上形成第二微晶半导体膜；在所述第二微晶半导体膜之上形成包括微晶半导体区和非晶半导体区的半导体膜；在所述半导体膜之上形成第一杂质半导体膜；蚀刻所述第一杂质半导体膜的一部分以形成岛状第二杂质半导体膜；蚀刻所述第一微晶半导体膜、所述第二微晶半导体膜以及所述半导体膜的部分以形成岛状第一半导体叠层；在所述第二杂质半导体膜之上形成一对布线；蚀刻所述第二杂质半导体膜以形成一对杂质半导体膜；以及蚀刻所述第一半导体叠层的一部分以形成其中层叠有微晶半导体区和一对非晶半导体区的第二半导体叠层，其中所述第一条件是其中形成用非晶半导体填充晶粒之间的空隙的微晶半导体膜的条件，以及其中所述第二条件是进行晶体生长的条件。