[发明专利]一种叉指型栅结构的低功耗隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201110048595.4 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102157559A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 詹瞻;黄芊芊;黄如;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低功耗隧穿场效应晶体管TFET，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明TFET包括源、漏和控制栅，其中，控制栅向源极端延展成叉指型，该叉指型控制栅由延展出来的栅区和原控制栅区组成，在延展栅区下覆盖的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料。本发明采用叉指型栅结构，实现TFET的源区包围沟道，提高器件导通电流。与现有的平面TFET相比，在同样的工艺条件，同样的有源区尺寸下，可以得到更高的导通电流以及更陡直的亚阈值斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 叉指型栅 结构 功耗 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种低功耗隧穿场效应晶体管，包括源、漏和控制栅，其特征在于，控制栅向源极端延展成叉指型，所述叉指型控制栅由延展出来的叉指栅区和原控制栅区组成，在延展栅区下覆盖的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料。
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