[发明专利]半导体存储器装置有效

专利信息
申请号: 201110049304.3 申请日: 2011-03-01
公开(公告)号: CN102194527A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 吉井谦一郎;福富和弘;菅野伸一;浅野滋博 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体存储器装置。根据一个实施例,一种半导体存储器装置包括具有其中写入数据的可写存储区域的多个半导体存储器芯片。所述数据具有一个或多个第一数据的段,并且一个或多个所述第一数据的段包括第二数据。所述装置包括:确定单元,确定所述第一数据被写入的预定数目或更少的半导体存储器芯片;写控制器,将所述第一数据和冗余信息写入确定的半导体存储器芯片中的所述可写存储区域中,所述冗余信息是从所述第二数据计算出的且被用于校正所述第二数据中的错误;以及存储单元,在其中存储彼此相关联的识别信息和区域指定信息。所述识别信息使所述第二数据和所述冗余信息相关联,并且所述区域指定信息指定所述半导体存储器芯片中的包括在所述第二数据中的所述第一数据和所述冗余信息被写入的存储区域。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【主权项】:
一种半导体存储器装置,包括具有可写存储区域的多个半导体存储器芯片,在所述可写存储区域中写入由信息处理设备请求写入的数据,所述数据具有预定单位的一个或多个第一数据的段,并且一个或多个所述第一数据的段包括第二数据,所述装置包括:确定单元,其被配置为确定所述第一数据的段将被写入的预定数目或更少的半导体存储器芯片;写控制器,其被配置为将所述第一数据的段和冗余信息写入由所述确定单元确定的所述半导体存储器芯片中的所述可写存储区域中,所述冗余信息是从所述第二数据计算出的且被用于校正所述第二数据中的错误;以及存储单元,其被配置为在其中存储识别信息和区域指定信息以使所述识别信息和区域指定信息彼此相关联,所述识别信息使所述第二数据和所述冗余信息相关联,并且所述区域指定信息指定所述半导体存储器芯片中的包括在所述第二数据中的所述第一数据的段和所述冗余信息将被写入的存储区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110049304.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top